RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
77
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
5.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
77
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
1440
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G3S186DM.C16FN 8GB
Crucial Technology CT8G3S160BM.C16FED 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link