RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
64
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.8
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
9.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2271
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link