RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
64
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2155
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link