RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Super Talent F26UB16GH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Super Talent F26UB16GH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Super Talent F26UB16GH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
104
Wokół strony -259% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.7
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.5
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
8.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1769
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link