RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
64
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
40
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2462
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link