RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
57
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
57
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2253
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link