RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
64
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3238
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link