RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
64
Около -113% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
17.2
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3238
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B5170GB0-CH9 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link