RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
48
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
40
48
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
8.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
10600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1893
1420
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
INTENSO 5641162 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link