RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3726
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link