RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
42
Por volta de -31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.3
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
32
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
16.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
3726
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link