RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2960
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link