RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
42
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
22
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3012
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link