RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
42
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
33
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2949
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link