RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2291
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link