RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
77
Rund um -196% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
2,622.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
8.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2291
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Mushkin 994083 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link