RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
42
Wokół strony -147% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
17
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3623
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link