RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2516
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link