RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
77
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2316
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-034.A00G 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link