RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
42
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.1
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
41
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
7.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
1512
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link