RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
42
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
35
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2495
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link