RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
49
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
49
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2413
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link