RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
42
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2525
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link