RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
42
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.1
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
11.5
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2525
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link