RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
42
Por volta de 33% menor latência
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.1
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
42
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
11.5
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2525
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link