RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
42
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
39
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2680
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link