RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3316
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link