RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
42
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
38
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2908
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link