RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
68
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
68
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2007
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link