RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
68
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
68
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2007
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link