RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2226
3573
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link