RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
41
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
41
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
7.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2226
1512
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link