RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2870
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link