RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2938
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link