RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
42
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
38
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2841
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link