RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
42
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
18
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3668
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link