RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2675
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link