RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
43
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2501
3446
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link