RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB против Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
43
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
18.1
Скорость записи, Гб/сек
9.7
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2501
3446
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link