RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
43
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
14.6
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2501
3446
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Apacer Technology 78.C1GET.AU10C 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link