RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
42
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2356
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link