RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
42
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
40
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2972
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333S364L9/4G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link