RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
42
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
18
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3814
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link