RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
49
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.6
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
49
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
8.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2331
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link