RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2504
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link