RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
73
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
73
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
1843
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link