RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
71
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2332
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link