RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
71
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3448
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link