RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
71
Wokół strony -209% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2938
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link