RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
71
Wokół strony -223% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3066
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link