RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
71
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
39
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3017
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link